даДобавлено (23 Февраля 2007, 17:05:54)
---------------------------------------------
Итак, Intel выпустила 4-ядерный процессор, который представляет собой два ядра Conroe упакованные в один корпус. Тестируем в приложениях оптимизированных под многопоточность и в приложениях без оптимизации
Добавлено (25 Февраля 2007, 13:20:05)
---------------------------------------------
Японская Nichia Corp. побила рекорд скорости записи Blu-ray дисков, анонсировав новый сине-фиолетовый лазер, который позволяет записать 54 ГБ двухслойный диск на скорости 10х.
Различие между сегодняшними 2х и 10х будет выдающимся, как считает эксперт в области синих лазеров Стивен ДенБаарс (Steven DenBaars), профессор Калифорнийского университета (the University of California, Santa Barbara). Сегодня, чтобы записать полнометражный DVD-фильм на диск со скоростью 2х, требуется около 50 минут, а 10х-лазер справится с задачей за 10 минут.
Ключ к увеличению скорости записи лежит в мощности лазера. Как сообщается, произведенные Nichia новые сине-фиолетовые полупроводниковые лазерные диоды могут излучать световые импульсы мощностью 320 мВт. Аналогичный показатель для имеющихся в продаже устройств в среднем не превышает 20 мВт.
«Скорость записи полностью зависит от выходной мощности, - заявил ДенБаарс, - чем больше мощность, тем быстрее вращается диск». Лазерам большей мощности требуется меньше времени, чтобы прожечь микроскопические дорожки диска, создавая нули и единицы – основу оптического накопителя. Чем выше скорость прожига, тем выше скорость вращения диска. Если современные 2х-устройства могут обеспечить скорость записи 8.99 МБ/с, то 10х-лазер может достичь скорости 44.9 MБ/с.
Сам ДенБаарс называет новинку скорее эволюционной, нежели революционной. ДенБаарс являлся членом команды разработчиков UCSB, которая на днях продемонстрировала первые в мире неполярные сине-фиолетовые лазерные диоды. По словам ДенБаарса, при помощи этой технологии можно производить лазерные диоды с мощностью световых импульсов 500 мВт. Однако в продажу они поступят только через 2-4 года.
Добавлено (25 Февраля 2007, 13:20:56)
---------------------------------------------
Samsung Electronics, один из ведущих мировых производителей памяти, представил на ISSCC новые чипы памяти GDDR4, которые работают на 40% быстрее, чем рассчитано для этого типа памяти, но потребляют бОльшую мощность.
Экспериментальные 512 МБ GDDR4 чипы памяти от Samsung произведены по 80 нм техпроцессу и рассчитаны на рабочее напряжение от 1,4 В до 2,1 В. Скорость передачи данных 4 Гб/сек (4 Гигабита в секунду или 4 ГГц). В данном случае рабочее напряжение было 2 В.
Память GDDR4 на частоте 4 ГГц обеспечивает пропускную способность в 16 Гб/сек и если бы такие микросхемы памяти были бы установлены на современных видеокартах, которые имеют шину памяти 256 бит, то пиковая пропускная способность данных была бы 128 Гб/сек, что в два раза больше, чем у ATI Radeon X1950 XTX (единственная видеокарта на рынке, имеющая GDDR4 видеопамять).
Для грядущих видеокарт с 512 разрядным интерфейсом памяти, новая память от Samsung сможет обеспечить пиковую пропускную способность в 256 Гб/сек, что примерно в три раза выше, чем у сегодняшней NVIDIA GeForce 8800 GTX.
Изначально ожидалось, что такие показатели будут достигнуты не ранее 2009 года, однако случилось это намного раньше. Samsung пока не раскрыли подробностей, когда память поступит в массовое производство, но не стоит ожидать такую память ранее чем в конце 2007 - начале 2008.
